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参数资料
| 型号： | GMBT5551 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶体管 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | GMBT5551 |
1/2
G
G M
M B
B T
T 55555511
N
N P
P N
N E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A L
L P
P L
L A
A N
N A
A R
R T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GMBT5551 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages.
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
2.70
3.10
G
1.90 REF.
B
2.40
2.80
H
1.00
1.30
C
1.40
1.60
K
0.10
0.20
D
0.35
0.50
J
0.40
-
E
0
0.10
L
0.85
1.15
F
0.45
0.55
M
0 C
10 C
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55 ~ +150
Collector to Base Voltage
VCBO
180
V
Collector to Emitter Voltage
VCES
160
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
6.0
V
Collector Current
IC
600
mA
Total Power Dissipation
PD
225
mW
Characteristics at Ta = 25 ::::
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
180
-
V
IC=100uA
BVCEO
160
-
V
IC=1mA
BVEBO
6
-
V
IE=10uA
ICBO
-
50
nA
VCB=120V
IEBO
-
50
nA
VEB=4V
VCE(sat)1
-
150
mV
IC=10mA, IB=1mA
VCE(sat)2
-
200
mV
IC=50mA, IB=5mA
VBE(sat)1
-
1
V
IC=10mA, IB=1mA
VBE(sat)2
-
1
V
IC=50mA, IB=5mA
hFE1
80
-
VCE=5V, IC=1mA
hFE2
80
-
250
VCE=5V, IC=10mA
hFE3
30
-
VCE=5V, IC=50mA
fT
100
300
MHz
VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz
Cob
-
6
pF
VCB=10V, f=1MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GMBT8050L | NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GMBT8050 | NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GMBT8550L | PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GMBT8550 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GMBT9012 | PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GMBT8050 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GMBT8050L | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GMBT8550 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GMBT8550L | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GMBT9012 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
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