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参数资料
| 型号： | GMBT9014 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | 进步党外延晶体管 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 260K |
| 代理商： | GMBT9014 |
1/3
G
G M
M B
B T
T 99001144
N
N P
P N
N E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A LL T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GMBT9014 is designed for general purpose amplifier applications.
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
2.70
3.10
G
1.90 REF.
B
2.40
2.80
H
1.00
1.30
C
1.40
1.60
K
0.10
0.20
D
0.35
0.50
J
0.40
-
E
0
0.10
L
0.85
1.15
F
0.45
0.55
M
0 C
10 C
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55 ~ +150
Collector to Base Voltage
VCBO
50
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
45
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
5
V
Collector Current
IC
100
mA
Total Power Dissipation
PD
225
mW
Characteristics at Ta = 25 ::::
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
50
-
V
IC=100uA , IE=0
BVCEO
45
-
V
IC=1mA, IB=0
BVEBO
5
-
V
IE=100uA, IC=0
ICBO
-
50
nA
VCB=50V, IE=0
IEBO
-
50
nA
VEB=5V, IC=0
VCE(sat)
-
0.14
0.3
V
IC=100mA, IB=5mA
VBE(sat)
-
0.84
1
V
IC=100mA, IB=5mA
VBE(on)
0.58
0.63
0.7
V
VCE=5V, IC=2mA
hFE
100
280
1000
VCE=5V, IC=1mA
fT
150
270
-
MHz
VCE=5V, IC=10mA
Cob
-
2.20
3.5
pF
VCB=10V, f=1MHz, IE=0
Classification Of hFE
Rank
B
C
D
hFE
100 - 300
200-600
400-1000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GMBT9015 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GMBT9018 | NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GMBTA05 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| GMBTA13 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| GMBTA14 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GMBT9015 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GMBT9018 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GMBTA05 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR |
| GMBTA06 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR |
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