参数资料
型号: GP2S700HCP
厂商: Sharp Microelectronics
文件页数: 4/13页
文件大小: 0K
描述: PHOTOINTERRUPTER REFLEC 3MM SMD
产品变化通告: Internal Chip Change 04/May/2007
标准包装: 1
检测距离: 0.217"(5.5mm)
检测方法: 反射
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 35V
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 20mA
电流 - DC 正向(If): 50mA
输出类型: 光电晶体管
响应时间: 20µs
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 4-SMD
包装: 标准包装
工作温度: -25°C ~ 85°C
产品目录页面: 2776 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 425-1913-6
GP2S700HCP
Fig.1 Forward Current vs. Ambient
Temperature
60
Fig.2 Collector Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
120
50
40
30
20
10
0
100
80
75
60
40
20
15
0
P tot
P, P c
? 25
0
25
50
75 85
100
? 25
0
25
50
75 85
100
Ambient temperature T a ( ? C)
Fig.3 Forward Current vs. Forward Voltage
100
25 ? C
? 25 ? C
Ambient temperature T a ( ? C)
Fig.4 Relative Collector Current vs.
Ambient Temperature
120
V CE = 2V
I F = 4mA
100
10
50 ? C
75 ? C
0 ? C
80
60
40
20
1
0
0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8 2.1 2.4 2.7
3
0
? 25
0
25
50
75
100
Forward voltage V F (V)
Fig.5 Collector Dark Current vs.
Ambient Temperature
Ambient temperature T a ( ? C)
Fig.6 Response Time vs. Load Resistance
10 ? 6
V CE = 20V
500
V CE = 5V
I C = 100 μ A
T a = 25 ? C
10 ? 7
10 ? 8
100
10
t f
t r
t d
10 ? 9
t s
10 ? 10
1
0
25
50
75
100
0.1
1 10
100
Ambient temperature T a ( ? C)
4
Load resistance R L (k Ω )
Sheet No.: D3-A02201EN
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