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参数资料
| 型号： | GP4226 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 348K |
| 代理商： | GP4226 |
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ISSUED DATE :2005/08/08
REVISED DATE :
Characteristics Curve
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristics of
Reverse Diode
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| GP427 | 功能描述:瓷片电容器 1000V 27pF DISC RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 电容:0.01 uF 容差:20 % 电压额定值:3 kV 工作温度范围:- 25 C to + 105 C 损耗因数 DF: 端接类型:Radial 产品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| GP430 | 制造商:Mallory Sonalert Products Inc 功能描述:Cap Ceramic 30pF 1000V SL 10% (6 X 4.5mm) Radial 6.4mm 85°C |
| GP-4303D | 制造商:EZ Digital 功能描述:POWER SUPPLY,BENCH TOP,30VDC@3A,SINGLE OUTPUT,3-DIGIT LED |
| GP430SCHR | 制造商:GP BATTERIES 功能描述:BATTERY NIMH SUB C 4100MAH |
| GP4-312X1000-50 | 制造商:GROOV-PIN 功能描述: |
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