参数资料
型号: GS1K-L
厂商: MICROSEMI CORP
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
封装: SMAJ, 2 PIN
文件页数: 2/3页
文件大小: 117K
代理商: GS1K-L
Average Forward Rectified Current - Amperes versus
Ambient Temperature -
°C
Figure 4
Forward Derating Curve
020
40
60
80 100 120 140 160 180
0
.2
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
Resistive or
Inductive Load
Amps
°C
200
Figure 2
Junction Capacitance
.1
.2
1
.4
2
10
20
40
4
100
200
1
2
6
10
20
100
Junction Capacitance - pF versus
Reverse Junction Potential (Applied V + 0.7 Volts) - Volts
pF
Volts
60
40
4
400
1000
Typical
Distribution
Median
Instantaneous Forward Current - Amperes versus
Instantaneous Forward Voltage - Volts
Figure 1
Typical Forward Characteristics
4
6
20
10
Amps
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
.01
.02
.04
.06
.1
.2
.4
.6
1
2
25
°C
Volts
GS1A-L thru GS1M-L
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