- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录296050 > GS1K-L (MICROSEMI CORP) 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | GS1K-L |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
| 封装： | SMAJ, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | GS1K-L |
1
10
100
6
12
18
24
30
36
Figure 3
Maximum Overload Surge Current
-65
°C to +175°C
Peak Forward Current - Amperes versus
Number of Cycles at 60Hz
Amps
Cycles
Figure 6
New SMA Assembly
Round Lead
GS1A-L thru GS1M-L
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161Z36D-200I | 512K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| GS8161Z36T-166T | 512K X 36 ZBT SRAM, 7 ns, PQFP100 |
| GS8182S18BD-300IT | 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8182S18BD-250I | 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8182S18BD-300I | 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GS1K-LTP | 功能描述:整流器 800V,1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| GS1K-T | 功能描述:整流器 standard 1.0A 800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| GS1K-T1 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
| GS1K-T3 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED STANDARD DIODE |
| GS1K-TP | 功能描述:整流器 standard 1.0A 800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。