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参数资料
| 型号： | GS74104 |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 4Mb（1M x 4Bit）Asynchronous SRAM(4M位（1M x 4位）异步静态RAM) |
| 中文描述： | 4Mb的（1米x 4位）异步SRAM（4分位（1米× 4位）异步静态RAM）的 |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 407K |
| 代理商： | GS74104 |
Rev: 1.07 1/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
4/12
1999, Giga Semiconductor, Inc.
GS74104TP/J
Notes:
1.
2.
Tested at T
A
= 25°C, f = 1 MHz
These parameters are sampled and are not 100% tested.
Capacitance
Parameter
Symbol
Test Condition
Max
Unit
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0 V
5
pF
Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
= 0 V
7
pF
DC I/O Pin Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage
Current
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
– 1 uA
1 uA
Output Leakage
Current
I
LO
Output High Z
V
OUT
= 0 to V
DD
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= –4mA
2.4
—
Output Low Voltage
V
OL
I
LO
= +4mA
—
0.4 V
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PDF描述 |
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参数描述 |
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