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参数资料
| 型号： | GS74104 |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 4Mb（1M x 4Bit）Asynchronous SRAM(4M位（1M x 4位）异步静态RAM) |
| 中文描述： | 4Mb的（1米x 4位）异步SRAM（4分位（1米× 4位）异步静态RAM）的 |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 407K |
| 代理商： | GS74104 |
Rev: 1.07 1/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
5/12
1999, Giga Semiconductor, Inc.
GS74104TP/J
AC Test Conditions
Power Supply Currents
Parameter
Symbol
Test Conditions
0 to 70°C
–40 to 85°C
8 ns
10 ns
12 ns
15 ns
10 ns
12 ns
15 ns
Operating
Supply
Current
I
DD
(max)
CE
≤
V
IL
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
Min. cycle time
I
OUT
= 0 mA
150 mA
125 mA
110 mA
90 mA
135 mA
120 mA
100 mA
Standby
Current
I
SB1
(max)
CE
≥
V
IH
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
Min. cycle time
70 mA
65 mA
60 mA
55 mA
75 mA
70 mA
65 mA
Standby
Current
I
SB2
(max)
CE
≥
V
DD
- 0.2V
All other inputs
≥
V
DD
- 0.2V or
≤
0.2V
30 mA
40 mA
DQ
VT = 1.4 V
50
30pF
1
DQ
3.3 V
Output Load 1
Output Load 2
589
434
5pF
1
Note:
1.
2.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as specified with output loading as shown in
Fig. 1
unless otherwise noted.
Output load 2 for t
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
and t
OHZ
3.
Parameter
Conditions
Input high level
V
IH
= 2.4 V
Input low level
V
IL
= 0.4 V
Input rise time
tr = 1 V/ns
Input fall time
tf = 1 V/ns
Input reference level
1.4 V
Output reference level
1.4 V
Output load
Fig. 1& 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS74108J | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108J-10 | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108J-10I | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108J-12 | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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