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参数资料
| 型号： | GS74104 |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 4Mb（1M x 4Bit）Asynchronous SRAM(4M位（1M x 4位）异步静态RAM) |
| 中文描述： | 4Mb的（1米x 4位）异步SRAM（4分位（1米× 4位）异步静态RAM）的 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 407K |
| 代理商： | GS74104 |
Rev: 1.07 1/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
7/12
1999, Giga Semiconductor, Inc.
GS74104TP/J
Read Cycle 2: WE = V
IH
* These parameters are sampled and are not 100% tested.
Write Cycle
Parameter
Symbol
-8
-10
-12
-15
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Write cycle time
tWC
8
—
10
—
12
—
15
—
ns
Address valid to end of write
tAW
5.5
—
7
—
8
—
10
—
ns
Chip enable to end of write
tCW
5.5
—
7
—
8
—
10
—
ns
Data set up time
tDW
4
—
5
—
6
—
7
—
ns
Data hold time
tDH
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
Write pulse width
tWP
5.5
—
7
—
8
—
10
—
ns
Address set up time
tAS
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
Write recovery time (WE)
tWR
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
Write recovery time (CE)
tWR1
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
Output Low Z from end of write
tWLZ
*
3
—
3
—
3
—
3
—
ns
Write to output in High Z
tWHZ
*
—
3.5
—
4
—
5
—
6
ns
t
AA
t
RC
Address
t
AC
t
LZ
t
OE
t
OLZ
CE
OE
Data Out
t
HZ
t
OHZ
D
ATA
VALID
High impedance
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