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参数资料
| 型号： | GS816236 |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（512K x 36Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位）可选单/双循环取消同步冲静态RAM(带2位脉冲地址计数器)) |
| 中文描述： | 16Mb的（为512k × 36Bit）的S /双氰胺同步突发静态存储器（1,600位（为512k × 36位）可选单/双循环取消同步冲静态随机存储器（带2位脉冲地址计数器）） |
| 文件页数： | 16/38页 |
| 文件大小： | 826K |
| 代理商： | GS816236 |
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Rev: 2.10 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
16/38
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816218/36/72B-225/200/180/166/150/133
AC Test Conditions
Notes:
1.
2.
3.
4.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as specified with output loading as shown in
Fig. 1
unless otherwise noted.
Output Load 2 for t
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
and t
OHZ
Device is deselected as defined by the Truth Table.
Parameter
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
Output load
Conditions
2.3 V
0.2 V
1 V/ns
1.25 V
1.25 V
Fig. 1& 2
DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
(except mode pins)
Symbol
Test Conditions
Min
Max
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–
1 uA
1 uA
ZZ Input Current
I
INZZ
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0 V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 8 mA
–
1 uA
–
1 uA
1 uA
300 uA
Mode Pin Input Current
I
INM
–
300 uA
–
1 uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current
I
OL
V
OH
V
OH
V
OL
–
1 uA
1 uA
Output High Voltage
1.7 V
—
Output High Voltage
2.4 V
—
Output Low Voltage
—
0.4 V
DQ
VT = 1.25 V
50
30pF
*
DQ
2.5 V
Output Load 1
Output Load 2
225
225
5pF
*
* Distributed Test Jig Capacitance
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PDF描述 |
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| GS816236BB-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 7.5NS/3.8NS 119FPBGA - Trays |
| GS816236BB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 512KX36 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
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