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参数资料
| 型号： | GS816236 |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（512K x 36Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位）可选单/双循环取消同步冲静态RAM(带2位脉冲地址计数器)) |
| 中文描述： | 16Mb的（为512k × 36Bit）的S /双氰胺同步突发静态存储器（1,600位（为512k × 36位）可选单/双循环取消同步冲静态随机存储器（带2位脉冲地址计数器）） |
| 文件页数： | 6/38页 |
| 文件大小： | 826K |
| 代理商： | GS816236 |
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Rev: 2.10 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
6/38
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816218/36/72B-225/200/180/166/150/133
GS816218 Pad Out
BPR1999.05.18
119 Bump BGA
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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| GS816236BB-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 7.5NS/3.8NS 119FPBGA - Trays |
| GS816236BB-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 7.5NS/3.8NS 119FPBGA - Trays |
| GS816236BB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 512KX36 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
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