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参数资料
| 型号： | GS8322Z18E-225VT |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 18 ZBT SRAM, 7 ns, PBGA165 |
| 封装： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件页数： | 23/39页 |
| 文件大小： | 1567K |
| 代理商： | GS8322Z18E-225VT |
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GS8322Z18/36/72(B/E/C)-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.05a 12/2007
3/39
2002, GSI Technology
GS8322Z72C-xxxV 209-Bump BGA Pin Description
Symbol
Type
Description
A0, A1
I
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
An
I
Address Inputs
DQA
DQB
DQC
DQD
DQE
DQF
DQG
DQH
I/O
Data Input and Output pins
BA, BB
I
Byte Write Enable for DQA, DQB I/Os; active low
BC,BD
I
Byte Write Enable for DQC, DQD I/Os; active low
BE, BF, BG,BH
I
Byte Write Enable for DQE, DQF, DQG, DQH I/Os; active low
NC
—
No Connect
CK
I
Clock Input Signal; active high
E1
I
Chip Enable; active low
E3
I
Chip Enable; active low
E2
I
Chip Enable; active high
G
I
Output Enable; active low
ADV
I
Burst address counter advance enable
ZZ
I
Sleep Mode control; active high
FT
I
Flow Through or Pipeline mode; active low
LBO
I
Linear Burst Order mode; active low
MCH
I
Must Connect High
MCH
I
Must Connect High
MCL
Must Connect Low
W
I
Write Enable; active low
ZQ
I
FLXDrive Output Impedance Control
Low = Low Impedance [High Drive],
High = High Impedance [Low Drive]
CKE
I
Clock Enable; active low
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