- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录223866 > GS8662QT10BD-200I (GSI TECHNOLOGY) 8M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | GS8662QT10BD-200I |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 8M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件页数： | 6/29页 |
| 文件大小： | 303K |
| 代理商： | GS8662QT10BD-200I |
第1页第2页第3页第4页第5页当前第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页
GS8662QT07/10/19/37BD-357/333/300/250/200
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 5/2011
14/29
2011, GSI Technology
AC Test Load Diagram
Capacitance
(TA = 25oC, f = 1 MHZ, VDD = 1.8 V)
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0 V
45
pF
Output Capacitance
COUT
VOUT = 0 V
67
pF
Clock Capacitance
CCLK
VIN = 0 V
56
pF
Note:
This parameter is sample tested.
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
1.25
Input low level
0.25 V
Max. input slew rate
2 V/ns
Input reference level
0.75
Output reference level
VDDQ/2
Note:
Test conditions as specified with output loading as shown unless otherwise noted.
Input and Output Leakage Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–2 uA
2 uA
Doff
IILDOFF
VIN = 0 to VDD
–20 uA
2 uA
ODT
IIL ODT
VIN = 0 to VDD
–2 uA
20 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable,
VOUT = 0 to VDDQ
–2 uA
2 uA
DQ
VT == 0.75 V
50
RQ = 250
(HSTL I/O)
VREF = 0.75 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662QT10BGD-250T | 8M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8662T06BD-350I | 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8662T06BD-350T | 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8672Q38BE-500I | 2M X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS880F32AGT-5.5IT | 256K X 32 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GS8662R08BD-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS8662R08BD-167 - Trays |
| GS8662R08BD-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS8662R08BD-200 - Trays |
| GS8662R08BD-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS8662R08BD-200I - Trays |
| GS8662R08E | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R08E-167 | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。