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参数资料
| 型号： | GS8662T06BD-350I |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件页数： | 9/33页 |
| 文件大小： | 651K |
| 代理商： | GS8662T06BD-350I |
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Input and Output Leakage Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–2 uA
2 uA
Doff
IILDOFF
VIN = 0 to VDD
–20 uA
2 uA
ODT
IILODT
VIN = 0 to VDD
–2 uA
20 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable,
VOUT = 0 to VDDQ
–2 uA
2 uA
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.02 3/2011
17/33
2011, GSI Technology
GS8662T20/38BD-550/500/450/400/350
GS8662T06/11BD-500/450/400/350
HSTL I/O Output Driver DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Units
Notes
Output High Voltage
VOH1
VDDQ/2 – 0.2
VDDQ
V
1, 3
Output Low Voltage
VOL1
Vss
0.2
V
2, 3
Output High Voltage
VOH2
VDDQ – 0.2
—
V
4, 5
Output Low Voltage
VOL2
—
0.2
V
4, 6
Notes:
1.
IOH = (VDDQ/2) / (RQ/5) +/– 15% @ VOH = VDDQ/2 (for: 175Ω ≤ RQ ≤ 275Ω).
2.
IOL = (VDDQ/2) / (RQ/5) +/– 15% @ VOL = VDDQ/2 (for: 175Ω ≤ RQ ≤ 275Ω).
3. Parameter tested with RQ = 250
Ω and VDDQ = 1.5 V
4. 0
Ω ≤ RQ ≤ ∞Ω
5. IOH = –1.0 mA
6. IOL = 1.0 mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662T06BD-350T | 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
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| GSAA07C-Q01 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 0.1A, 50VDC, PANEL MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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