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参数资料
| 型号： | GS881E18AD-150I |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件页数： | 10/36页 |
| 文件大小： | 913K |
| 代理商： | GS881E18AD-150I |
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GS881E18(T/D)/GS881E32A(D)/GS881E36A(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 3/2005
18/36
2001, GSI Technology
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
ZZ Input Current
IIN1
VDD ≥ VIN ≥ VIH
0 V
≤ VIN ≤ VIH
–1 uA
1 uA
100 uA
FT Input Current
IIN2
VDD ≥ VIN ≥ VIL
0 V
≤ VIN ≤ VIL
–100 uA
–1 uA
1 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable, VOUT = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
VOH2
IOH = –8 mA, VDDQ = 2.375 V
1.7 V
—
Output High Voltage
VOH3
IOH = –8 mA, VDDQ = 3.135 V
2.4 V
—
Output Low Voltage
VOL
IOL = 8 mA
—
0.4 V
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| GS881E18AD-150IT | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
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