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参数资料
| 型号： | GS881E18AD-150I |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件页数： | 11/36页 |
| 文件大小： | 913K |
| 代理商： | GS881E18AD-150I |
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GS881E18(T/D)/GS881E32A(D)/GS881E36A(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 3/2005
19/36
2001, GSI Technology
Notes:
1.
I DD
a
nd
I DDQ
apply
to
an
ycombination
of
V
DD3
,V
DD2
,V
DD
Q
3,
and
V
DDQ2
operation.
2.
All
p
arameters
listed
are
worst
case
scenario.
Operating
Currents
Par
ameter
Test
Co
nd
itio
ns
Mo
de
Sym
bo
l
-250
-225
-200
-166
-150
-133
Un
it
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70
°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
Operating
Current
Devi
ce
Selec
ted;
All
other
input
s
≥V
IH
o
r≤
V
IL
Output
open
(x36)
Pipeline
I DD I DDQ
29
0
40
300
40
265
35
275
35
240
30
250
30
205
25
215
25
190
25
20
0
25
170
20
180
20
mA
Flow
Through
I DD I DDQ
18
0
20
190
20
170
20
180
20
165
15
175
15
155
15
165
15
150
15
16
0
15
140
10
150
10
mA
(x18)
Pipeline
I DD I DDQ
26
0
20
270
20
235
20
245
20
215
15
225
15
185
15
195
15
170
15
18
0
15
155
10
165
10
mA
Flow
Through
I DD I DDQ
16
5
10
175
10
155
10
165
10
150
10
160
10
140
10
150
10
135
10
14
5
10
125
10
135
10
mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
–
0.2
V
—
Pipeline
I SB
20
30
20
30
20
30
20
30
20
30
20
30
mA
Flow
Through
I SB
20
30
20
30
20
30
20
30
20
30
20
30
mA
Des
elect
Current
Dev
ice
D
eselec
ted;
All
other
input
s
≥
V
IH
or
≤V
IL
—
Pipeline
I DD
85
90
80
85
75
80
64
70
60
65
50
55
mA
Flow
Through
I DD
60
65
60
65
50
55
50
55
50
55
45
50
mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GS881E18AD-150IT | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
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| GS881E18AD-166 | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
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| GS881E18AD-166IT | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
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