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参数资料
| 型号： | GS881E18AD-150I |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件页数： | 31/36页 |
| 文件大小： | 913K |
| 代理商： | GS881E18AD-150I |
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GS881E18(T/D)/GS881E32A(D)/GS881E36A(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 3/2005
4/36
2001, GSI Technology
TQFP Pin Description
Symbol
Type
Description
A0, A1
I
Address field LSBs and Address Counter preset Inputs
An
I
Address Inputs
DQA
DQB
DQC
DQD
I/O
Data Input and Output pins
NC
—
No Connect
BW
IByte Write—Writes all enabled bytes; active low
BA, BB, BC, BD
I
Byte Write Enable for DQA, DQB Data I/Os; active low
CK
I
Clock Input Signal; active high
GW
I
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
E1
I
Chip Enable; active low
E2
I
Chip Enable; active high
G
I
Output Enable; active low
ADV
I
Burst address counter advance enable; active low
ADSP, ADSC
I
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
ZZ
I
Sleep Mode control; active high
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
FT
I
Flow Through or Pipeline mode; active low
LBO
I
Linear Burst Order mode; active low
VDD
I
Core power supply
VSS
I
I/O and Core Ground
VDDQ
I
Output driver power supply
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E18AD-150IT | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
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| GS881E18AD-166I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS881E18AD-166IT | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GS881E18AD-150IT | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
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| GS881E18AD-166IT | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
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