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参数资料
| 型号： | GS88237BGB-200V |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.5 ns, PBGA119 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, FPBGA-119 |
| 文件页数： | 7/28页 |
| 文件大小： | 925K |
| 代理商： | GS88237BGB-200V |
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AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
-250
-200
Unit
Min
Max
Min
Max
Pipeline
Clock Cycle Time
tKC
4.0
—
5.0
—
ns
Clock to Output Valid
tKQ
—
2.5
—
2.5
ns
Clock to Output Invalid
tKQX
1.0
—
1.0
—
ns
Clock to Output in Low-Z
tLZ1
1.0
—
1.0
—
ns
Setup time
tS
1.2
—
1.4
—
ns
Hold time
tH
0.2
—
0.4
—
ns
G to Output Valid
tOE
—
2.3
—
2.5
ns
G to output in High-Z
tOHZ1
—
2.3
—
2.5
ns
Clock HIGH Time
tKH
1.3
—
1.3
—
ns
Clock LOW Time
tKL
1.7
—
1.7
—
ns
Clock to Output in
High-Z
tHZ1
1.0
2.3
1.0
2.5
ns
G to output in Low-Z
tOLZ1
0
—
0
—
ns
ZZ setup time
tZZS2
5
—
5
—
ns
ZZ hold time
tZZH2
1
—
1
—
ns
ZZ recovery
tZZR
20
—
20
—
ns
GS88237BB/D-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.06 12/2008
15/28
2003, GSI Technology
Notes:
1. These parameters are sampled and are not 100% tested.
2. ZZ is an asynchronous signal. However, in order to be recognized on any given clock cycle, ZZ must meet the specified setup and hold
times as specified above.
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PDF描述 |
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