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参数资料
| 型号： | GSA1576A |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 进步党外延平面晶体管 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 392K |
| 代理商： | GSA1576A |
1/3
ISSUED DATE :2005/02/18
REVISED DATE :
G
G S
S A
A11557766 A
A
P
P N
N P
P E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A L
L P
P L
L A
A N
N A
A R
R T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GSA1576A is designed for use in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification.
Features
&Complements the GSC4081
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
0.80
1.10
L1
0.42 REF.
A1
0
0.10
L
0.15
0.35
A2
0.80
1.00
b
0.25
0.40
D
1.80
2.20
c
0.10
0.25
E
1.15
1.35
e
0.65 REF.
HE
1.80
2.40
Q1
0.15 BSC.
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
Collector to Base Voltage
VCBO
-60
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
-50
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
-6
V
Collector Current
IC
-150
mA
Total Power Dissipation
PD
225
mW
Characteristics at Ta = 25 ::::
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
-60
-
V
IC=-50uA
BVCEO
-50
-
V
IC=-1mA
BVEBO
-6
-
V
IE=-50uA
ICBO
-
-100
nA
VCB=-60V
IEBO
-
-100
nA
VEB=-6V
VCE(sat)
-
-500
mV
IC=-50mA, IB=-5mA
hFE
120
-
560
VCE=-6V, IC=-1mA
fT
-
140
-
MHz
VCE=-12V, IE=-2mA, f=100MHz
Cob
-
4.0
5.0
pF
VCB=-12V, f=1MHz,IE=0
Classification Of hFE
Rank
5AQ
5AR
5AS
Range
120 - 270
180 - 390
270 – 560
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