参数资料
型号: GSA1625
厂商: GTM CORPORATION
英文描述: PNP SILICON TRANSISTOR
中文描述: 进步党硅晶体管
文件页数: 1/2页
文件大小: 424K
代理商: GSA1625
1/2
ISSUED DATE :2004/12/16
REVISED DATE :
G
G S
S A
A11662255
P
P N
N P
P S
S II LL II C
C O
O N
N T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GSA1625 is designed for general purpose amplifier and high speed switching applications.
Features
&High Voltage
&
High Speed Switching
&
Low Collector Saturation Voltage
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
4.45
4.7
D
4.44
4.7
S1
1.02
-
E
3.30
3.81
b
0.36
0.51
L
12.70
-
b1
0.36
0.76
e1
1.150
1.390
C
0.36
0.51
e
2.42
2.66
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55 ~ +150
Collector to Base Voltage
VCBO
-400
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
-400
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
-7
V
Collector Current
IC
-500
mA
Collector Current(pulse)*
IC
-1000
mA
Total Power Dissipation
PD
750
mW
*pw 2ms, Duty Cycle 50%
Characteristics at Ta = 25 ::::
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
-400
-
V
IC=-100uA
BVCEO
-400
-
V
IC=-1mA
BVEBO
-7
-
V
IE=-100uA
ICBO
-
-10
A
VCB=-400V, IE=0
IEBO
-
-10
A
VEB=-5V, IC=0
*VCE(sat)
-
-0.5
V
IC=-100mA, IB=-10mA
*VBE(sat)
-
-1.2
V
IC=-100mA, IB=-10mA
*hFE
40
80
200
VCE=-5V, IC=-50mA
fT
20
40
-
MHz
VCE=-10V, IE=-10mA
Cob
-
17
20
pF
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
Classification Of hFE
* Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle 2%
Rank
M
L
K
Range
40 - 80
60 - 120
100 -200
L
e 1
b
e
S E A T IN G
P L A N E
b 1
A
D
C
S 1
E
TO-92
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