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参数资料
| 型号： | GSC1384 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶体管 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | GSC1384 |
!
1/3
ISSUED DATE :2003/10/24
REVISED DATE :2004/11/29B
L
e 1
b
e
S E A T IN G
P L A N E
b 1
A
D
C
S 1
E
TO-92
G
G S
S C
C 11338844
N
N P
P N
N E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A LL P
P LL A
A N
N A
A R
R T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GSC1384 is designed for power amplifier and driver.
Features
*Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).
*Complementary pair with GSA684
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
4.45
4.7
D
4.44
4.7
S1
1.02
-
E
3.30
3.81
b
0.36
0.51
L
12.70
-
b1
0.36
0.76
e1
1.150
1.390
C
0.36
0.51
e
2.42
2.66
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 : ,unless otherwise specified)
Parameter
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
VCBO
60
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
50
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
5
V
Collect Current(DC)
IC
1
A
Collect Current*(Pulse)
ICP
1.5
A
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature Range
TsTG
-55 ~ +150
Total Power Dissipation
PD
1
W
Electrical Characteristics (Ta = 25 : ,unless otherwise specified)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
VCBO
60
-
V
IC=10uA,IE=0
VCEO
50
-
V
IC=2mA,IB=0
VEBO
5
-
V
IE=10uA,IC=0
ICBO
-
0.1
uA
VCB=20V,IE=0
VCE(sat)
-
200
400
mV
lC=0.5A,IB=50mA(note)
VBE(sat)
-
0.85
1.2
V
IC=0.5A, IB=50mA(note)
*hFE1
85
160
340
VCE=10V,IC=500mA(note)
*hFE2
50
100
-
VCE=5V,IC=1A(note)
fT
-
200
-
MHz
VCE=10V,IB=-50mA,f=200MHz
Cob
-
11
20
pF
VCB=10V,IE=0,f=1MHz
Note: Pulse measurement
Classification Of hFE1
Rank
Q
R
S
Range
85-170
120-240
170-340
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PDF描述 |
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