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参数资料
| 型号： | GSMBT4076 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶体管 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 206K |
| 代理商： | GSMBT4076 |
1/2
ISSUED DATE :2005/07/22
REVISED DATE :
G
G S
S M
M B
B T
T 44007766
N
N P
P N
N E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A L
L P
P L
L A
A N
N A
A R
R T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GSMBT4076 is designed for general purpose switching and amplifier applications.
Features
&Excellent hFE Linearity : hFE2=25 (Min.) @VCE=6v, IC=400mA
&Complementary to GSMBT2015
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
0.80
1.10
L1
0.42 REF.
A1
0
0.10
L
0.15
0.35
A2
0.80
1.00
b
0.25
0.40
D
1.80
2.20
c
0.10
0.25
E
1.15
1.35
e
0.65 REF.
HE
1.80
2.40
Q1
0.15 BSC.
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
Collector to Base Voltage
VCBO
35
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
30
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
5
V
Collector Current
IC
500
mA
Base Current
IB
50
mA
Total Power Dissipation
PD
250
mW
Electrical Characteristics (Ta = 25 )
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
35
-
V
IC=100uA , IE=0
BVCEO
30
-
V
IC=1mA, IB=0
BVEBO
5
-
V
IE=10uA ,IC=0
ICBO
-
100
nA
VCB=35V, IE=0
IEBO
-
100
nA
VEB=5V, IC=0
*VCE(sat)
-
250
mV
IC=100mA, IB=10mA
*VBE(sat)
-
1.2
V
IC=500mA, IB=50mA
*hFE1
70
-
240
VCE=1V, IC=100mA
*hFE2
25
-
VCE=6V, IC=400mA
fT
250
-
MHz
VCE=10V, IC=20mA, f=100MHz
Cob
-
6.5
pF
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
* Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle 2%
Classification Of hFE
Rank
WO
WY
hFE1 Range
70 - 140
120 - 240
hFE2 Range
Min. 25
Min. 40
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