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参数资料
| 型号： | GTS9928E |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型功率MOSFET |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 445K |
| 代理商： | GTS9928E |
1/6
ISSUED DATE :2004/10/13
REVISED DATE :2005/08/10B
G
G T
T S
S 99992288E
E
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Description
The GTS9928E provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design,
ultra low on-resistance and cost-effectiveness.
Features
*Low on-resistance
*Capable of 2.5V gate drive
*Optimal DC/DC battery application
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
-
1.20
E
6.20
6.60
A1
0.05
0.15
E1
4.30
4.50
b
0.19
0.30
e
0.65 BSC
c
0.09
0.20
L
0.45
0.75
D
2.90
3.10
S
0°
8°
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Drain-Source Voltage
VDS
20
V
Gate-Source Voltage
VGS
f 12
V
Drain Current3, VGS@4.5V
ID @Ta=25 :
5.0
A
Drain Current3, VGS@4.5V
ID @Ta=70 :
3.5
A
Pulsed Drain Current1
IDM
25
A
Power Dissipation
PD @Ta=25 :
1
W
Linear Derating Factor
0.008
W/
Operating Junction and Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 ~ +150
Thermal Data
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Thermal Resistance Junction-ambient3 Max.
Rthj-a
125
/W
BVDSS
20V
RDS(ON)
22m
ID
5A
Pb Free Plating Product
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PDF描述 |
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