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参数资料
| 型号： | GWM100-01X1-SL |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT |
| 标准包装： | 28 |
| FET 型： | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 17-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | SMD |
| 包装： | 管件 |
GWM 100-01X1
1.2
180
1.1
1.0
I DSS = 0.25 mA
160
140
120
100
V DS = 30 V
0.9
0.8
0.7
-25
0
25
50
75
100
125
150
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
T J = 125°C
T J = 25°C
5 6 7
8
T J [°C]
Fig. 1 Drain source breakdown voltage V DSS
vs. junction temperature T J
V GS [V]
Fig. 2 Typical transfer characteristic
180
160
140
V GS =
20 V
15 V
10 V
T J = 25°C
180
160
140
V GS =
20 V
15 V
10 V
TJ = 125°C
120
120
100
80
60
40
7V
6.5 V
100
80
60
40
7V
6.5 V
6V
20
0
0
1
2
3
4
6V
5.5 V
5V
5
6
20
0
0
1
2
3
4
5
5.5 V
5V
6
V DS [V]
Fig. 3 Typical output characteristic
V DS [V]
Fig. 4 Typical output characteristic
2.5
2.0
1.5
1.0
V GS = 10 V
I D = 90 A
R DS(on)
R DS(on) normalized
20
16
12
8
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
5.5 V 6 V
6.5 V
7V
T J = 125°C
0.5
4
1.5
1.0
V GS =
10 V
15 V
0.0
-25
0
25
50
75
100
125
0
150
0.5
0
20 V
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
T J [°C]
Fig. 5 Drain source on-state resistance R DS(on)
versus junction temperature T J
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2011 IXYS All rights reserved
I D [A]
Fig. 6 Drain source on-state
resistance R DS(on) versus I D
20110505f
4-6
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| GWM100-01X1-SLSAM | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MODULE 3 PHASE FULL BR MOSFET |
| GWM100-01X1-SMD | 功能描述:MOSFET 100 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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