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参数资料
| 型号： | GWM160-0055X1-SL SAM |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.3 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 17-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | SMD |
| 包装： | 管件 |
GWM 160-0055X1
Source-Drain Diode
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V SD
t rr
Q RM
I RM
(diode) I F = 100 A; V GS = 0 V
I F = 100 A; -di F /dt = 800 A/μs; V R = 24 V
1.0
40
0.42
20
1.3
V
ns
μC
A
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
I RMS
T J
T stg
V ISOL
F C
per pin in main current paths (P+, N-, L1, L2, L3)
may be additionally limited by external connections
I ISOL < 1 mA, 50/60 Hz, f = 1 minute
mounting force with clip
300
-55...+175
-55...+125
1000
50 - 250
A
°C
°C
V~
N
Symbol
Conditions
Characteristic Values
R pin to chip 1)
min.
typ.
0.6
max.
m W
C P
Weight
coupling capacity between shorted
pins and mounting tab in the case
160
25
pF
g
1)
V DS = I D · (R DS(on) + 2R Pin to Chip )
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2011 IXYS All rights reserved
20110307i
2-6
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PDF描述 |
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参数描述 |
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