参数资料
型号: GWM160-0055X1-SL SAM
厂商: IXYS
文件页数: 3/6页
文件大小: 0K
描述: IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT
标准包装: 1
FET 型: 6 N-沟道(3 相桥)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 150A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.3 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 17-SMD,扁平引线
供应商设备封装: SMD
包装: 管件
GWM 160-0055X1
S traight L eads
GWM 160-0055X1-SL
37,5 +0,20
(11x) 3 ±0,05
5 ±0,05
1 ±0,05
1,5
1 ±0,05
0,5 ±0,02
S6 G6 S5 G5 S4 G4 S3 G3 S2 G2 S1 G1
L3
L2
L1
L-
L+
4,5
12 ±0,05
4 ±0,05
(3x) 6 ±0,05
S urface M ount D evice
37,5 +0,20
GWM 160-0055X1-SMD
1,5
(11x) 3 ±0,05
1 ±0,05
5 ±0,05
0,5 ±0,02
R 1± 0,2
S6 G6 S5 G5 S4 G4 S3 G3 S2 G2 S1 G1
L3
L2
L1
L-
L+
1 ±0,05
4,5
12 ±0,05
4 ±0,05
(3x) 6 ±0,05
5 ±0,10
5° ±2°
Leads
Straight
SMD
Ordering
Standard
Standard
Part Name &
Packing Unit Marking
GWM 160-0055X1 - SL
GWM 160-0055X1 - SMD
Part Marking
GWM 160-0055X1
GWM 160-0055X1
Delivering Mode
Blister
Blister
Base Qty.
28
28
Ordering
Code
505 230
504 862
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2011 IXYS All rights reserved
20110307i
3-6
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