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参数资料
| 型号： | GWM160-0055X1-SL SAM |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.3 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 17-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | SMD |
| 包装： | 管件 |
GWM 160-0055X1
1.2
1.1
1.0
0.9
I DSS = 0.25 mA
350
300
250
200
150
V DS = 24 V
100
0.8
50
T J = 125°C
T J = 25°C
0.7
-25
0
25
50 75
T J [°C]
100
125
150
0
3
4
5
6
V GS [V]
7
8
Fig. 1 Drain source breakdown voltage V DSS
vs. junction temperature T J
Fig. 2 Typical transfer characteristic
350
300
250
V GS =
20 V
15 V
10 V
7V
T J = 25°C
6.5 V
350
300
250
V GS =
20 V
15 V
10 V
TJ = 125°C
7V
6.5 V
200
150
100
50
6V
5.5 V
5V
200
150
100
50
6V
5.5 V
5V
0
0
1
2
3
V DS [V]
4
5
6
0
0
1
2
3
V DS [V]
4
5
6
Fig. 3 Typical output characteristic
Fig. 4 Typical output characteristic
2.5
V GS = 10 V
7.5
3.0
2.0
I D = 160 A
6.0
2.5
5V
5.5 V
6V
6.5 V
7V
1.5
1.0
0.5
R DS(on)
R DS(on) normalized
4.5
3.0
1.5
2.0
1.5
1.0
T J = 125°C
V GS =
10 V
15 V
0.0
-25
0
25
50
75
100
125
0.0
150
0.5
0
50
100
150
200
250
300
20 V
350
T J [°C]
Fig. 5 Drain source on-state resistance R DS(on)
versus junction temperature T J
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2011 IXYS All rights reserved
I D [A]
Fig. 6 Drain source on-state
resistance R DS(on) versus I D
20110307i
4-6
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