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参数资料
| 型号： | H11AG1M |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER PHOTOTRANS OUT 6DIP |
| 产品目录绘图： | Opto 6-DIP Package |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 100% @ 1mA |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2759 (CN2011-ZH PDF) |
Safety and Insulation Ratings
As per IEC 60747-5-2, this optocoupler is suitable for “safe electrical insulation” only within the safety limit data.
Compliance with the safety ratings shall be ensured by means of protective circuits.
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Installation Classi?cations per DIN VDE 0110/1.89
Table 1
For Rated Main Voltage < 150Vrms
For Rated Main voltage < 300Vrms
Climatic Classi?cation
Pollution Degree (DIN VDE 0110/1.89)
I-IV
I-IV
55/100/21
2
CTI
Comparative Tracking Index
175
V PR
Input to Output Test Voltage, Method b,
1594
V peak
V IORM x 1.875 = V PR , 100% Production Test
with tm = 1 sec, Partial Discharge < 5pC
Input to Output Test Voltage, Method a,
V IORM x 1.5 = V PR , Type and Sample Test
with tm = 60 sec, Partial Discharge < 5pC
1275
V peak
V IORM
V IOTM
RIO
Max. Working Insulation Voltage
Highest Allowable Over Voltage
External Creepage
External Clearance
Insulation Thickness
Insulation Resistance at Ts, V IO = 500V
850
6000
7
7
0.5
10 9
V peak
V peak
mm
mm
mm
?
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
H11AG1M Rev. 1.0.3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OSTHE102040 | CONN TERM BLOCK 10POS 5.08MM |
| MCT5211M | OPTOCOUPLER PHOTO TRANS 6DIP |
| OSTH2030080 | CONN TERM BLOCK 3POS 7.5MM |
| MKS1XT-10 AC24 | RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 24V |
| OSTHG085080 | CONN TERM BLOCK 8POS 7.62MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| H11AG1S | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler SM-DIP6 LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG1SD | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler SM-DIP6 LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG1SM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC PHOTOTRANSISTOR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG1SR2M | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG1SR2VM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR OUTPUT, SURFACE MOUNT LEAD BEND, VDE, T&R - Tape and Reel |
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