参数资料
型号: H11AG1M
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
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文件大小: 0K
描述: OPTOCOUPLER PHOTOTRANS OUT 6DIP
产品目录绘图: Opto 6-DIP Package
标准包装: 1,000
通道数: 1
输入类型: DC
电压 - 隔离: 5300Vrms
电流传输比(最小值): 100% @ 1mA
输出电压: 30V
电流 - 输出 / 通道: 50mA
电流 - DC 正向(If): 50mA
Vce饱和(最大): 400mV
输出类型: 有基极的晶体管
安装类型: 通孔
封装/外壳: 6-DIP(0.300",7.62mm)
包装: 管件
产品目录页面: 2759 (CN2011-ZH PDF)
Typical Performance Curves (Continued)
Figure 7. Collector-Emitter Dark Current vs. Ambient Temperature
10000
I F = 0mA
1000
100
10
1
0.1
V CE = 10V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
T A - AMBIENT TEMPERATURE ( o C)
3V ≤ V CC ≤ 10V
47K ?
AC
INPUT
VOLTAGE
R 1
1N4148
C 1
H11AG1M
4093 or
74HC14
Input
40-90 VRMS
20Hz
95-135 VRMS
60Hz
R1
75K
1/10W
180K
1/10W
C1
0.1μF
100V
12 η F
200 V
Z
109K
285K
200-280 VRMS
390K
6.80 η F
550K
4.7M ?
C 2
0.1
4.7K ?
50/60Hz 1/4W 400 V
DC component of input voltage is ignored due to C1
Figure 8. Telephone Ring Detector/A.C. Line CMOS Input Isolator
The H11AG1M uses less input power than the neon bulb traditionally used to monitor telephone and line voltages.
Additionally. response time can be tailored to ignore telephone dial tap, switching transients and other undesired
signals by modifying the value of C2. The high impedance to line voltage also can simply board layout spacing
requirements.
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
H11AG1M Rev. 1.0.3
6
www.fairchildsemi.com
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参数描述
H11AG1S 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler SM-DIP6 LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
H11AG1SD 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler SM-DIP6 LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
H11AG1SM 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC PHOTOTRANSISTOR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
H11AG1SR2M 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
H11AG1SR2VM 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR OUTPUT, SURFACE MOUNT LEAD BEND, VDE, T&R - Tape and Reel