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参数资料
| 型号： | H11AG1M |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER PHOTOTRANS OUT 6DIP |
| 产品目录绘图： | Opto 6-DIP Package |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 100% @ 1mA |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2759 (CN2011-ZH PDF) |
Tape Dimensions
12.0 ± 0.1
4.5 ± 0.20
2.0 ± 0.05
?1.5 MIN
0.30 ± 0.05
4.0 ± 0.1
1.75 ± 0.10
11.5 ± 1.0
21.0 ± 0.1
9.1 ± 0.20
24.0 ± 0.3
0.1 MAX
10.1 ± 0.20
?1.5 ± 0.1/-0
User Direction of Feed
Note:
All dimensions are in inches (millimeters)
Re?ow Soldering Pro?le
° C 140
300
280
260
240
220
200
180
160
120
100
80
60
40
20
0
1.822 ° C/Sec Ramp up rate
33 Sec
260 ° C
Time above
183 ° C = 90 Sec
>245 ° C = 42 Sec
0
60
120
180
270
360
Time (s)
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
H11AG1M Rev. 1.0.3
9
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OSTHE102040 | CONN TERM BLOCK 10POS 5.08MM |
| MCT5211M | OPTOCOUPLER PHOTO TRANS 6DIP |
| OSTH2030080 | CONN TERM BLOCK 3POS 7.5MM |
| MKS1XT-10 AC24 | RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 24V |
| OSTHG085080 | CONN TERM BLOCK 8POS 7.62MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| H11AG1S | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler SM-DIP6 LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG1SD | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler SM-DIP6 LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG1SM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC PHOTOTRANSISTOR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG1SR2M | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG1SR2VM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR OUTPUT, SURFACE MOUNT LEAD BEND, VDE, T&R - Tape and Reel |
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