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参数资料
| 型号： | HAT1043M |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅P通道功率MOS场效应管电源开关 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | HAT1043M |
HAT1043M
3
Main Characteristics
2.0
1.5
1.0
0
50
100
150
200
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
-10
-8
-6
-4
-2
0
-2
-4
-6
-8
-10
C
Ambient Temperature Ta (
°
C)
Test Condition
When using the alumina ceramic board
(50x50x0.7mm),(PW
≤
5s)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V (V)
Note 1 When using the alumina ceramic board
( 50x50x0.7mm)
D
D
Maximum Safe Operation Area
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
-100
-30
-10
-3
-1
-0.1
-0.03
-0.01
-0.3
10
μ
s
1ms
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
Ta = 25
°
C
1 shot pulse
PW=10ms(1sho)
-2 V
0.5
V = -1.5 V
-3 V
-10 V
-4 V
-10
-8
-6
-4
-2
0
-1
-2
-3
-4
-5
Tc = –25
°
C
25
°
C
75
°
C
V = -10 V
Pulse Test
Pulse Test
-2.5 V
≤
5s
Noe1
100
μ
s
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PDF描述 |
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