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参数资料
| 型号： | HAT1043M |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅P通道功率MOS场效应管电源开关 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | HAT1043M |
HAT1043M
4
0
-4
-8
-12
-16
-20
250
200
150
100
50
–50
0
50
100
150
200
0
Gate to Source Voltage V (V)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
V
D
D
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
1000
Case Temperature Tc (
°
C)
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
Drain Current I (A)
F
f
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
V = -4.5 V
-2.5 V
Pulse Test
R
D
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
Pulse Test
I = -5 A
-2 A
-1 A
-0.1
-2
-10
-0.2
20
50
10
-1
-20
200
100
V = -2.5 V
-4.5 V
Pulse Test
-1, -2 A
I = -5 A
-5 A
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30 -50
50
10
20
2
5
0.2
0.5
0.1
Tc = –25
°
C
75
°
C
25
°
C
V = -10 V
Pulse Test
500
-5
-0.5
1
-1, -2 A
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PDF描述 |
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