- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录370426 > HAT1043M (Hitachi,Ltd.) Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching PDF资料下载
参数资料
| 型号： | HAT1043M |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅P通道功率MOS场效应管电源开关 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | HAT1043M |
HAT1043M
6
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
Source to Drain Voltage V (V)
R
F
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
V = 0, 5 V
-5 V
-10
-8
-6
-4
-2
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
10 V
R
L
V
= 10 V
DD
tr
td(on)
Vin
90%
90%
10%
10%
Vout
td(off)
Vout
Monitor
50
90%
10%
t
f
Switching Time Test Circuit
Switching Time Waveform
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAT1044M | Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT1048R | Silicon P Channel Power MOS FET(P沟道功率MOSFET) |
| HAT1051T | Silicon P Channel Power MOS FET(P沟道功率MOSFET) |
| HAT1054R | Silicon P Channel Power MOS FET(P沟道功率MOSFET) |
| HAT1500-S | Current Transducer HAT 500~1500-S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HAT1043M-EL | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP - Tape and Reel |
| HAT1043M-EL-E | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| HAT1044M | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT1044M-EL-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT1046R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。