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参数资料
| 型号： | HAT2168N-EL-E |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 30A LFPAKI |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.2 毫欧 @ 15A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1730pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 15W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） |
| 供应商设备封装： | 8-LFPAK-iV |
| 包装： | 带卷 (TR) |
HAT2165N
Main Characteristics
40
Power vs. Temperature Derating
500
Maximum Safe Operation Area
PW 1m
=1
DC
Op 0m
era s
tio
μ
30
100
10
n
10
s
10
0 μ s s
20
1 Operation in
this area is
10
0.1
0.01
limited by R DS(on)
Tc = 25 ° C
1 shot Pulse
0
50
100
150
200
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Case Temperature Tc ( ° C)
Typical Output Characteristics
Drain to Source Voltage V DS (V)
Typical Transfer Characteristics
100
10 V
4.5 V
Pulse Test
3.0 V
100
V DS = 10 V
Pulse Test
80
60
2.8 V
80
60
40
20
2.6 V
2.4 V
40
20
Tc = 75 ° C
25 ° C
-25 ° C
V GS = 2.2 V
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
Drain to Source Voltage V DS (V)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
250
Pulse Test
Gate to Source Voltage V GS (V)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
10
Pulse Test
200
5
150
100
50
I D = 50 A
20 A
2
V GS = 4.5 V
10 V
10 A
1
0
4
8
12
16
20
1
3
10
30
100
300
1000
Gate to Source Voltage V GS (V)
REJ03G1680-0300 Rev.3.00 May 27, 2008
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Drain Current I D (A)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HAT2169H-EL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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