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参数资料
| 型号： | HCT7000MTXV |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 200MA SMD |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3.18mm x 2.67mm x 1.37mm |
| 包装： | 散装 |
Product Bulletin HCT7000M
January 1996
N-Channel Enhancement Mode MOS Transistor
Type HCT7000M, HCT7000MTX, HCT7000MTXV
Features
? 200mA I D
? Ultra small surface mount package
? R DS(ON) < 5 ?
? Pin-out compatible with most SOT23
MOSFETS
Description
The HCT7000M is a high performance
enhancement mode N-channel MOS
transistor chip packaged in the ultra
small 3 pin ceramic LCC package.
Electrical characteristics are similar to
those of the JEDEC 2N7000. The pin-
out and footprint matches that of most
enhancement mode MOS transistors
built in SOT23 plastic packages.
The HCT7000M is available processed
to TX and TXV levels per MIL-PRF-
19500. Order HCT7000MTX or
HCT7000MTXV. Typical screening and
lot acceptance tests are provided on
page 13-4. TX and TXV products
receive a V GS HTRB at 24 V for 48 hrs.
at 150 o C and a V DS HTRB at 48 V for
260 hrs. at 150 o C.
Absolute Maximum Ratings
Drain-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V
Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ± 40 V
Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200 mA
Power Dissipation (T A = 25 o C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 mW
Power Dissipation (T S(1) = 25 o C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600 mW (2)
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55 o C to +150 o C
Thermal Resistance R ? JC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 o C/W
Thermal Resistance R ? JA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 583 o C/W
Notes:
(1) T S = Substrate temperature that the chip carrier is mounted on.
(2) This rating is provided as an aid to designers. It is dependent upon mounting material and
methods and is not measurable as an outgoing test.
Optek Technology, Inc.
1215 W. Crosby Road
Carrollton, Texas 75006
(972) 323-2200
Fax (972) 323-2396
15-36
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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