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参数资料
| 型号： | HCT802TX |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 90V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A，1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 70pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，无引线 |
| 供应商设备封装： | 6-SMD |
| 包装： | 散装 |
Product Bulletin HCT802
September 1996
Dual Enhancement Mode MOSFET
Types HCT802, HCT802TX, HCT802TXV
Features
? 6 pad surface mount package
? V DS = 90V
? R DS(on) <5 ?
? I D(on) N-Channel = 1.5A
P-Channel = 1.1A
? Two devices selected for V DS , I D(on)
and R DS(on) similarity
? Full TX Processing Available
? Gold plated contacts
Description
HCT802 offers an N-Channel and P-
Channel MOS transistor in a hermetic
ceramic surface mount package. The
devices used are similar to industry
standards 2N6661 N-Channel device
and VP1008 P-Channel device. These
two enhancement mode MOSFETS
are particularly well matched for V DS ,
I DS(on) , R DS(on) and G fs .
Order HCT802TX for processing per
MIL-PRF-19500. Typical screening
and lot acceptance tests are provided
on page 13-4. TX products receive a
V GS HTRB at 16 V for 48 hrs. at 150 o
C and a V DS HTRB at 72 V for 160 hrs.
at 150 o C.
Absolute Maximum Ratings
Drain-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90 V
Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ± 20 V
Drain Current (Limited by Tj max) N-Channel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 A
P-Channel. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1 A
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55 o C to +150 o C
Power Dissipation
T A = 25 o C (Both devices equally driven) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5 W Total
T S = 25 o C (Both devices equally driven). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5 W Total (1)
(Ts = Substrate that the package is soldered to)
Notes
(1) This rating is provided as an aid to designers. It is dependent upon mounting material and
methods and is not measureable as an outgoing test.
Optek Technology, Inc.
1215 W. Crosby Road
Carrollton, Texas 75006
(972) 323-2200
Fax (972) 323-2396
15-34
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| HCT802TXV | 功能描述:MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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