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参数资料
型号： HCPL-3180-500
英文描述： Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler
中文描述： 当前，高速式IGBT / MOSFET的门极驱动光电耦合器
文件页数： 13/19页
文件大小： 466K
代理商： HCPL-3180-500
13
Figure 23. TPLH, TPHL, Tr and Tf Test Circuit and Waveform
Figure 24. CMR Test Circuit and Waveform
1
2
3
4
8
7
6
5
Shield
Vcc=+20V
-
10
-
10nF
250KHz
50% Duty
Cycle
Tr
Tf
90%
10%
50%
Tplh
Tphl
Vout
0,1 μF
+
500
GND
+
If= 10 to 16mA
If
1
2
3
4
8
7
6
5
Shield
μF
Vcc=+20V
-
-
5V
0V
VO
IF
-
Vcm =1500V
VO
VO
VOL
VOH
dt
IF=0mA
IF=10mA
dv/dt= Vcm/dt
0,1
+
+
+
VCM
Switching at B
Switching at A
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PDF描述
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参数描述
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HCPL-3180-560 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
HCPL-3180-560E 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
HCPL-354-000E 功能描述:晶体管输出光电耦合器 3750 Vrms 20% CTR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
HCPL-354-000E 制造商:Avago Technologies 功能描述:OPTOCOuPLER OPTOCOuPLER OuTPuT TyPE:TRAN
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