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参数资料
| 型号： | HCPL-3180-500 |
| 英文描述： | Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler |
| 中文描述： | 当前，高速式IGBT / MOSFET的门极驱动光电耦合器 |
| 文件页数： | 2/19页 |
| 文件大小： | 466K |
| 代理商： | HCPL-3180-500 |
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HCPL-3180 Standard DIP Package
HCPL-3180 Gull Wing Surface Mount Option 300
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HCPL-3180 | Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler |
| HCPL3180 | Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler |
| HCPL-354 | AC Input Phototransistor Optocoupler SMD Mini-Flat Type |
| HCPL-354-000E | AC Input Phototransistor Optocoupler SMD Mini-Flat Type |
| HCPL-5121-100 | 2.0 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HCPL-3180-500E | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-3180-560 | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-3180-560E | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-354-000E | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 3750 Vrms 20% CTR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| HCPL-354-000E | 制造商:Avago Technologies 功能描述:OPTOCOuPLER OPTOCOuPLER OuTPuT TyPE:TRAN |
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