参数资料
型号: HFA1112IB
厂商: Intersil
文件页数: 10/14页
文件大小: 0K
描述: IC BUFFER 850MHZ 8-SOIC
标准包装: 98
放大器类型: 缓冲器
电路数: 1
转换速率: 2400 V/µs
-3db带宽: 850MHz
电流 - 输入偏压: 25µA
电压 - 输入偏移: 8000µV
电流 - 电源: 21mA
电流 - 输出 / 通道: 60mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 9 V ~ 11 V,±4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
5
(as illustrated in the curves), the maximum bandwidth is
obtained without sacrificing stability. Even so, bandwidth
does decrease as you move to the right along the curve.
For example, at AV = +1, RS = 50, CL = 30pF, the overall
bandwidth is limited to 300MHz, and bandwidth drops to
100MHz at AV = +1, RS = 5, CL = 340pF.
Evaluation Board
The performance of the HFA1112 may be evaluated using
the HFA11XX Evaluation Board, slightly modified as follows:
1. Remove the 500
feedback resistor (R
2), and leave the
connection open.
2. a. For AV = +1 evaluation, remove the 500 gain setting
resistor (R1), and leave pin 2 floating.
b. For AV = +2, replace the 500 gain setting resistor with
a 0
resistor to GND.
The layout and modified schematic of the board are shown in
Figure 2.
To order evaluation boards (part number HFA11XXEVAL),
please contact your local sales office.
R
S
(
)
LOAD CAPACITANCE (pF)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
400
AV = +1
AV = +2
FIGURE 1. RECOMMENDED SERIES OUTPUT RESISTOR vs
LOAD CAPACITANCE
1
2
3
4
8
7
6
5
+5V
10
F
0.1
F
VH
50
GND
R1
-5V
0.1
F
10
F
50
IN
OUT
VL
∞ (AV = +1)
or 0
(AV = +2)
VH
+IN
VL
V+
GND
1
V-
OUT
TOP LAYOUT
BOTTOM LAYOUT
FIGURE 2. EVALUATION BOARD SCHEMATIC AND LAYOUT
HFA1112
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