参数资料
| 型号： | HFA1112IB |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BUFFER 850MHZ 8-SOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 放大器类型： | 缓冲器 |
| 电路数： | 1 |
| 转换速率： | 2400 V/µs |
| -3db带宽： | 850MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 25µA |
| 电压 - 输入偏移： | 8000µV |
| 电流 - 电源： | 21mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 60mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 9 V ~ 11 V，±4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
12
Die Characteristics
DIE DIMENSIONS
63 mils x 44 mils x 19 mils
1600
m x 1130m 483m
METALLIZATION
Type: Metal 1: AlCu (2%)/TiW
Thickness: Metal 1: 8k
±0.4k
Type: Metal 2: AlCu (2%)
Thickness: Metal 2: 16k
±0.8k
PASSIVATION
Type: Nitride
Thickness: 4k
±0.5k
TRANSISTOR COUNT
52
SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP)
Floating (Recommend Connection to V-)
Metallization Mask Layouts
HFA1112
NC
V-
NC
OUT
+IN
-IN
NC
V+
HFA1112
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PDF描述 |
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