- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录385376 > HFA3046 (Intersil Corporation) Ultra High Frequency Transistor Arrays(超高频晶体管阵列) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | HFA3046 |
| 厂商： | Intersil Corporation |
| 英文描述： | Ultra High Frequency Transistor Arrays(超高频晶体管阵列) |
| 中文描述： | 超高频晶体管阵列（超高频晶体管阵列） |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | HFA3046 |
12
FN3076.13
December 21, 2005
HFA3046, HFA3096, HFA3127, HFA3128
Small Outline Plastic Packages (SOIC)
NOTES:
1. Symbols are defined in the “MO Series Symbol List” in Section 2.2 of
Publication Number 95.
2. Dimensioning and tolerancing per ANSI Y14.5M
-
1982.
3. Dimension “D” does not include mold flash, protrusions or gate burrs.
Mold flash, protrusion and gate burrs shall not exceed 0.15mm (0.006
inch) per side.
4. Dimension “E” does not include interlead flash or protrusions. Interlead
flash and protrusions shall not exceed 0.25mm (0.010 inch) per side.
5. The chamfer on the body is optional. If it is not present, a visual index
feature must be located within the crosshatched area.
6. “L” is the length of terminal for soldering to a substrate.
7. “N” is the number of terminal positions.
8. Terminal numbers are shown for reference only.
9. The lead width “B”, as measured 0.36mm (0.014 inch) or greater above
the seating plane, shall not exceed a maximum value of 0.61mm
(0.024 inch).
10. Controlling dimension: MILLIMETER. Converted inch dimensions are
not necessarily exact.
INDEX
AREA
E
D
N
1
2
3
-B-
0.25(0.010)
C A
M
B S
e
-A-
L
B
M
-C-
A1
A
SEATING PLANE
0.10(0.004)
h x 45°
C
H
0.25(0.010)
B
M
M
α
M16.15
(JEDEC MS-012-AC ISSUE C)
16 LEAD NARROW BODY SMALL OUTLINE PLASTIC PACKAGE
SYMBOL
INCHES
MILLIMETERS
NOTES
MIN
MAX
MIN
MAX
A
0.0532
0.0688
1.35
1.75
-
A1
0.0040
0.0098
0.10
0.25
-
B
0.013
0.020
0.33
0.51
9
C
0.0075
0.0098
0.19
0.25
-
D
0.3859
0.3937
9.80
10.00
3
E
0.1497
0.1574
3.80
4.00
4
e
0.050 BSC
1.27 BSC
-
H
0.2284
0.2440
5.80
6.20
-
h
0.0099
0.0196
0.25
0.50
5
L
0.016
0.050
0.40
1.27
6
N
α
16
16
7
0°
8°
0°
8°
-
Rev. 1 6/05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HFA30PA60CPBF | Ultrafast Soft Recovery Dioe |
| HFB30PA60CPBF | Ultrafast Soft Recovery Dioe |
| HFA30TA60C | Ultrafast, Soft Recovery Diode |
| HFA320NJ40C | HEXFRED Ultrafast, Soft Recovery Diode |
| HFA32PA120C | Ultrafast, Soft Recovery Diode |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HFA3046_05 | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:Ultra High Frequency Transistor Arrays |
| HFA3046B | 功能描述:IC TRANSISTOR ARRAY NPN 14-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| HFA3046B96 | 功能描述:IC TRANS ARRAY NPN DIFF 14-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| HFA3046BZ | 功能描述:射频双极小信号晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| HFA3046BZ96 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。