参数资料
型号: HFA3046
厂商: Intersil Corporation
英文描述: Ultra High Frequency Transistor Arrays(超高频晶体管阵列)
中文描述: 超高频晶体管阵列(超高频晶体管阵列)
文件页数: 7/13页
文件大小: 299K
代理商: HFA3046
7
FN3076.13
December 21, 2005
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0.25
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15.48
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-49.49
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0.27
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0.25
-141.39
1.67
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7.61E-02
15.15
0.26
-49.67
2.8E+09
0.25
-142.54
1.61
86.07
7.63E-02
15.01
0.26
-49.81
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0.26
-49.96
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0.24
-144.64
1.51
84.58
7.67E-02
14.81
0.26
-50.13
V
CE
= -5V, I
C
= -10mA
1.0E+08
0.58
-23.24
13.03
163.45
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60.43
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10.25
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-75.73
8.88
129.12
3.90E-02
42.49
0.65
-38.83
5.0E+08
0.40
-87.36
7.72
122.49
4.25E-02
36.81
0.58
-42.63
6.0E+08
0.37
-96.94
6.78
117.33
4.48E-02
32.59
0.51
-45.07
7.0E+08
0.35
-104.92
6.01
113.22
4.64E-02
29.39
0.47
-46.60
8.0E+08
0.33
-111.64
5.39
109.85
4.76E-02
26.94
0.43
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9.0E+08
0.32
-117.36
4.87
107.05
4.85E-02
25.04
0.40
-47.97
1.0E+09
0.31
-122.27
4.44
104.66
4.92E-02
23.55
0.37
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1.1E+09
0.30
-126.51
4.07
102.59
4.97E-02
22.37
0.35
-48.20
1.2E+09
0.30
-130.21
3.76
100.76
5.02E-02
21.44
0.33
-48.11
Common Emitter S-Parameters of PNP 3
μ
m x 50
μ
m Transistor
(Continued)
FREQ. (Hz)
|S
11
|
PHASE(S
11
)
|S
21
|
PHASE(S
21
)
|S
12
|
PHASE(S
12
)
|S
22
|
PHASE(S
22
)
HFA3046, HFA3096, HFA3127, HFA3128
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PDF描述
HFA30PA60CPBF Ultrafast Soft Recovery Dioe
HFB30PA60CPBF Ultrafast Soft Recovery Dioe
HFA30TA60C Ultrafast, Soft Recovery Diode
HFA320NJ40C HEXFRED Ultrafast, Soft Recovery Diode
HFA32PA120C Ultrafast, Soft Recovery Diode
相关代理商/技术参数
参数描述
HFA3046_05 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:Ultra High Frequency Transistor Arrays
HFA3046B 功能描述:IC TRANSISTOR ARRAY NPN 14-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
HFA3046B96 功能描述:IC TRANS ARRAY NPN DIFF 14-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
HFA3046BZ 功能描述:射频双极小信号晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
HFA3046BZ96 功能描述:射频双极小信号晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel