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参数资料
| 型号： | HGT1S20N36G3VL |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 20A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs |
| 中文描述： | 37.7 A, 355 V, N-CHANNEL IGBT, TO-262AA |
| 封装： | TO-262AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 256K |
| 代理商： | HGT1S20N36G3VL |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
HGTP20N36G3VL, HGT1S20N36G3VL, HGT1S20N36G3VLS Rev. C1
Specifications HGTP20N36G3VL, HGT1S20N36G3VL, HGT1S20N36G3VLS
Test Circuits
FIGURE 16. USE TEST CIRCUIT
FIGURE 17. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
R
G
G
C
E
V
DD
2.3mH
DUT
R
GEN
= 25
5V
R
GEN
= 50
+
-
V
CC
300V
DUT
C
G
E
R
GE
= 50
1/R
G
= 1/R
GEN
+ 1/R
GE
L = 550
μ
H
R
L
10V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HGT1S20N36G3VLS | 20A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs |
| HGTP20N36G3VL | 20A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs |
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| HGTD10N40F1S | 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
| HGTD10N50F1 | 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HGT1S20N36G3VLS | 功能描述:IGBT 晶体管 20A 360V Clamp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| HGT1S20N60A4S9A | 功能描述:IGBT 晶体管 600V SMPS SERIES NCH IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| HGT1S20N60B3S | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| HGT1S20N60B3S9A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-263AB |
| HGT1S20N60C3 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 45A I(C) | TO-262AA |
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