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参数资料
| 型号： | HGT1S7N60C3DS9A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 800 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2V @ 15V，7A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 14A |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Curves
30
10
30
25
20
15
T C = 25 o C, dI EC /dt = 200A/ μ s
t rr
t a
175 o C
100 o C
25 o C
10
t b
1.0
5
0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.5
1
3
7
V EC , FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 18. DIODE FORWARD CURRENT vs
FORWARD VOLTAGE DROP
Test Circuit and Waveforms
L = 1mH
I EC , FORWARD CURRENT (A)
Figure 19. RECOVERY TIMES vs FORWARD
CURRENT
90%
RHRD660
V GE
10%
R G = 50 ?
+
V CE
90%
E OFF
E ON
-
V DD = 480V
I CE
10%
t d(OFF)I
t fI
t rI
t d(ON)I
Figure 20. INDUCTIVE SWITCHING TEST
CIRCUIT
HGTP7N60C3D, HGT1S7N60C3DS, HGT1S7N60C3D
Rev. B 1
7
Figure 21. SWITCHING TEST WAVEFORMS
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1825010-5 | SWITCH SLIDE DPDT 0.4VA SMD |
| 1825011-7 | SWITCH SLIDE DPDT 0.3A SMD |
| CSTLS20M0X53-B0 | CER RESONATOR 20.0MHZ |
| 1-1825010-8 | SWITCH SLIDE 4PDT 0.3A SMD |
| K50-HC0CSE32.000 | OSCILLATOR 32.000MHZ 5V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HGT1Y40N60B3D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes |
| HGT1Y40N60C3D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-264 |
| HGT4E20N60A4DS | 功能描述:IGBT 晶体管 TO-268 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| HGT4E30N60B3DS | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT |
| HGT4E30N60B3S | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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