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参数资料
| 型号： | HGTG30N60A4 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.6V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 功率 - 最大： | 463W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | HGTG30N60A4_NL HGTG30N60A4_NL-ND |
HGTG30N60A4
Data Sheet
November 2013
File Number
4829
600 V SMPS IGBT
The HGTG30N60A4 combines the best features of high
input impedance of a MOSFET and the low on-state
conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for
many high voltage switching applications operating at high
frequencies where low conduction losses are essential. This
Features
? 60 A, 600 V @ T C = 110°C
? Low Saturation Voltage : V CE(sat) = 1.8 V @ I C = 30 A
? Typical Fall Time. . . . . . . . . . 58ns at T J = 125°C
? Low Conduction Loss
device has been optimized for fast switching applications.
Applications
? UPS, Welder
Formerly Developmental Type TA49343.
Ordering Information
PART NUMBER
HGTG30N60A4
PACKAGE
TO-247
BRAND
G30N60A4
Packaging
JEDEC STYLE TO-247
NOTE:
When ordering, use the entire part number.
Symbol
C
G
C
E
TO-247
G
E
FAIRCHILD CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
HGTG30N60A4 Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HGTG30N60B3D | IGBT N-CH UFS 600V 30A TO-247 |
| HGTG30N60B3 | IGBT UFS N-CHAN 600V 60A TO-247 |
| HGTG30N60C3D | IGBT N-CH UFS 600V 30A TO-247 |
| HGTG40N60A4 | IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO247 |
| HGTG40N60B3 | IGBT N-CH UFS 600V 70A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HGTG30N60A4 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT N TO-247 |
| HGTG30N60A4D | 功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| HGTG30N60A4D | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:IGBT TO-247 |
| HGTG30N60A4D | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT TO-247 |
| HGTG30N60B3 | 功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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