- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录438 > HGTG30N60B3 (Fairchild Semiconductor)IGBT UFS N-CHAN 600V 60A TO-247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | HGTG30N60B3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT UFS N-CHAN 600V 60A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 标准包装： | 150 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.9V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 60A |
| 功率 - 最大： | 208W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | HGTG30N60B3-ND HGTG30N60B3FS |
HGTG30N60B3
Data Sheet
600 V, NPT IGBT
The HGTG30N60B3 combines the best features of high
input impedance of a MOSFET and the low on-state
conduction loss of a bipolar transistor. The IGBT is ideal for
many high voltage switching applications operating at
moderate frequencies where low conduction losses are
essential, such as: UPS, solar inverter and power supplies.
Formerly Developmental Type TA49170.
November 2013
Features
? 30 A, 600 V, T C = 110°C
? Low Saturation Voltage: V CE (sat) = 1.45 V @ I C = 30 A
? Typical Fall Time. . . . . . . . 90ns at T J = 150°C
? Short Circuit Rating
? Low Conduction Loss
Ordering Information
Packaging
JEDEC STYLE TO-247
PART NUMBER
HGTG30N60B3
PACKAGE
TO-247
BRAND
G30N60B3
NOTE: When ordering, use the entire part number.
Symbol
C
G
C
E
TO-247
G
E
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HGTG30N60B3 Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HGTG30N60C3D | IGBT N-CH UFS 600V 30A TO-247 |
| HGTG40N60A4 | IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO247 |
| HGTG40N60B3 | IGBT N-CH UFS 600V 70A TO-247 |
| HGTP12N60C3D | IGBT SMPS N-CH 600V 24A TO-220AB |
| HGTP20N60A4 | IGBT N-CH SMPS 600V 70A TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HGTG30N60B3_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HGTG30N60B3D | 功能描述:IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| HGTG30N60B3D | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBTN CH600V30ATO-247 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT,N CH,600V,30A,TO-247 |
| HGTG30N60B3D | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR |
| HGTG30N60B3D_04 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。