参数资料
型号: HIP2100IR
厂商: Intersil
文件页数: 3/12页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HALF-BRIDGE 16-QFN
标准包装: 60
配置: 半桥
输入类型: PWM
延迟时间: 20ns
电流 - 峰: 2A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 114V
电源电压: 9 V ~ 14 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 16-QFN-EP(5x5)
包装: 管件
HIP2100
Functional Block Diagram
HB
V DD
UNDER
VOLTAGE
LEVEL SHIFT
HO
DRIVER
HS
HI
UNDER
VOLTAGE
LO
DRIVER
LI
V SS
EPAD (EPSOIC, QFN and DFN PACKAGES ONLY)
*EPAD = Exposed Pad. The EPAD is electrically isolated from all other pins. For best
thermal performance connect the EPAD to the PCB power ground plane.
+48V
+12V
PWM
HIP2100
SECONDARY
CIRCUIT
ISOLATION
FIGURE 1. TWO-SWITCH FORWARD CONVERTER
+48V
+12V
PWM
HIP2100
SECONDARY
CIRCUIT
ISOLATION
FIGURE 2. FORWARD CONVERTER WITH AN ACTIVE CLAMP
3
FN4022.14
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PDF描述
78F1R0K-RC CHOKE CONFORMAL COATED 1.0UH
T95D336M025EZAL CAP TANT 33UF 25V 20% 2917
S1D-13 RECTIFIER GPP SMD 200V 1A SMA
396-080-540-804 CARD EDGE 80POS DL .125X.250 BLK
T95D157K010EZAL CAP TANT 150UF 10V 10% 2917
相关代理商/技术参数
参数描述
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HIP2100IR4Z 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 12LD RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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