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参数资料
| 型号： | HIP2100IR |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF-BRIDGE 16-QFN |
| 标准包装： | 60 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 20ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 114V |
| 电源电压： | 9 V ~ 14 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-QFN-EP（5x5） |
| 包装： | 管件 |
HIP2100
Typical Performance Curves
500
V HB = V DD = 9V
(Continued)
500
V HB = V DD = 9V
400
V HB = V DD = 12V
400
V HB = V DD = 12V
300
200
V HB = V DD = 14V
300
200
V HB = V DD = 14V
100
-50
0
50
100
150
100
-50
0
50
100
150
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7. HIGH LEVEL OUTPUT VOLTAGE vs TEMPERATURE
7.6
7.4
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8. LOW LEVEL OUTPUT VOLTAGE vs TEMPERATURE
0.54
0.50
V DDR
0.46
V DDH
7.2
0.42
7.0
6.8
V HBR
0.38
0.34
V HBH
6.6
-50
0
50
100
150
0.30
-50
0
50
100
150
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 9. UNDERVOLTAGE LOCKOUT THRESHOLD vs
TEMPERATURE
30
t HPHL
t HPLH
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 10. UNDERVOLTAGE LOCKOUT HYSTERESIS vs
TEMPERATURE
2.5
2.0
25
t LPHL
t LPLH
1.5
1.0
20
0.5
15
-50
0
50
100
150
0
0
2
4
6
8
10
12
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 11. PROPAGATION DELAYS vs TEMPERATURE
7
V HO , V LO (V)
FIGURE 12. PEAK PULLUP CURRENT vs OUTPUT VOLTAGE
FN4022.14
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 78F1R0K-RC | CHOKE CONFORMAL COATED 1.0UH |
| T95D336M025EZAL | CAP TANT 33UF 25V 20% 2917 |
| S1D-13 | RECTIFIER GPP SMD 200V 1A SMA |
| 396-080-540-804 | CARD EDGE 80POS DL .125X.250 BLK |
| T95D157K010EZAL | CAP TANT 150UF 10V 10% 2917 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HIP2100IR4 | 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 12DFN RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| HIP2100IR4T | 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 12DFN RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| HIP2100IR4Z | 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 12LD RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2100IR4ZT | 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 12LD RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2100IRT | 功能描述:IC DRVR HALF BRDG 100V/2A 16-QFN RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
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