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参数资料
| 型号： | HIP6601BCB-T |
| 厂商： | INTERSIL CORP |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers |
| 中文描述： | 0.73 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 |
| 封装： | PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8 |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 346K |
| 代理商： | HIP6601BCB-T |
3
FN9072.7
July 20, 2005
Typical Application: 3-Channel Converter Using HIP6301 and HIP6601B Gate Drivers
+5V
BOOT
UGATE
PHASE
LGATE
PWM
VCC
+12V
+5V
BOOT
UGATE
PHASE
LGATE
PWM
VCC
PVCC
DRIVE
HIP6601B
+12V
+5V
BOOT
UGATE
PHASE
LGATE
PWM
VCC
+12V
+V
CORE
PGOOD
VID
FS
GND
ISEN3
ISEN2
ISEN1
PWM3
PWM2
PWM1
VSEN
MAIN
CONTROL
HIP6301
VFB
VCC
+5V
COMP
PVCC
DRIVE
HIP6601B
PVCC
DRIVE
HIP6601B
HIP6601B, HIP6603B, HIP6604B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| HIP6603BCB-T | Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HIP6601BCBZ | 功能描述:功率驱动器IC SYNCH-RECT BUCK FET DRVR W/REDUCED POR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP6601BCBZ | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:MOSFET Driver IC |
| HIP6601BCBZA | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL SYNCH-RECT BUCK FET DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP6601BCBZA-T | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL SYNCH-RECT BUCK FET DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP6601BCBZ-T | 功能描述:功率驱动器IC SYNCH-RECT BUCK FET DRVR W/REDUCED POR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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