参数资料
型号: HIP6602BCR
厂商: Intersil
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文件大小: 0K
描述: IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 16-QFN
标准包装: 60
配置: 高端和低端,同步
输入类型: PWM
电流 - 峰: 400mA
配置数: 2
输出数: 4
高端电压 - 最大(自引导启动): 15V
电源电压: 10.8 V ~ 13.2 V
工作温度: 0°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 16-QFN-EP(5x5)
包装: 管件
HIP6602B
Typical Application - 2 Channel Converter Using a HIP6302 and a HIP6602B Gate Driver
+5V
+12V
BOOT1
+12V
FB
VSEN
COMP
V CC
ISEN1
VCC
UGATE1
PHASE1
PGOOD
PWM1
PWM1
LGATE1
VID
MAIN
CONTROL
HIP6302
FS/DIS
PWM2
ISEN2
PWM2
DUAL
DRIVER
HIP6602B
PVCC
BOOT2
UGATE2
PHASE2
+5V/12V
+12V
+V CORE
LGATE2
GND
3
GND
PGND
FN9076.5
July 22, 2005
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PDF描述
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HIP6602BCB IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 14SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
HIP6602BCR-T 功能描述:IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 16-QFN RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
HIP6602BCRZ 功能描述:功率驱动器IC DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP6602BCRZA 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL DL CH SYNCH CT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP6602BCRZA-T 功能描述:功率驱动器IC W/ANL DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP6602BCRZ-T 功能描述:功率驱动器IC DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube